thb試驗是考核塑封器件耐濕性常用的加速試驗方法，一般在高溫高濕試驗箱中進行。通過提高環(huán)境溫度及相對濕度，使試驗環(huán)境的水汽分壓增加，加大了試驗環(huán)境與塑封半導體器件樣品內(nèi)部的水蒸氣壓力差，進而加劇水汽擴散和吸收：同時施加偏置電壓為加速金屬侵蝕提供了必要的電解電池。加速金屬侵蝕的原因還有:塑封器件所用不同材料的熱失配使封裝體內(nèi)產(chǎn)生縫隙加速水汽的侵入；封裝材料中的雜質(zhì)污染等。

HAST是專為塑封固態(tài)器件而設(shè)計的，因為事實證明，高壓蒸煮和thb試驗對于某些健壯的塑封微電路已經(jīng)不能產(chǎn)生失效。 這一試驗用高溫(通常為130℃)、高相對濕度(約85%)、高大氣壓力的條件（達3atm）來加速潮氣通過外部保護材料或芯片引線周圍的密封封裝。